基于 InAs 纳米线的双子电气传感器：纳米器件工程、测试与信号波动分析
介观与纳米尺度物理
2024-12-25 v1
摘要
因 NW 表面费米能级固定， epitaxially 生长的 InAs 纳米线对于电气传感应用具有高度敏感性。虽然单个 NW 生长批次包含数以百万计几乎完全相同的 NW 副本，但实际样品显示出 NW 尺寸、形状、结构的细微差异，这可能影响检测性能。本文研究了基于两个来自同一 NW 生长批次的准相同或双子装置的电气气体检测。将两个个别 wurtzite InAs 纳米线置于距离为 2 微米、相对取向为 90 度的制造基片上，每个纳米线都被电接触，装置暴露于湿度和稀释于合成空气的 NO 流中。同时测量每个纳米器件随时间的电气信号，在不同气体和浓度下进行。检测限为 NO 为 2 ppm，湿度为20%。关联分析方法用于计算实验信号对的自相关和交叉相关函数，表明两个纳米器件信号噪声缺乏交叉相关，表明信号差异主要可归因于制造工艺的非理想因素和两个纳米结构的纳米尺度差异，而非来自不同环境条件。
引用
@article{arxiv.2412.17981,
title = {InAs Nanowire-Based Twin Electrical Sensors enabling Simultaneous Gas Detection Measurements: Nanodevice Engineering, Testing and Signal Fluctuation Analysis},
author = {Camilla Baratto and Egit Musaev and Valeria Demontis and Stefano Luin and Valentina Zannier and Lucia Sorba and Guido FAglia and Luigi Rovati and Francesco ROssella},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.17981},
year = {2024}
}
备注
25 pages