InAs纳米线图形化与自对准电接触的湿法刻蚀方法
介观与纳米尺度物理
2016-05-04 v1
摘要
半导体纳米线（NWs）的高级合成使其能够应用于多个领域，特别是在化学和电学传感、光伏或量子电子器件中。特别是，砷化铟（InAs）纳米线是量子器件的理想平台，例如它们可以承载拓扑马约拉纳态。尽管合成技术不断完善，但在生长后定制单根纳米线的技术却很少。在此，我们提出了三种湿化学刻蚀方法，用于在亚100 nm尺度上对InAs纳米线进行生长后形貌工程。前两种方法允许与刻蚀后的纳米线形成自对准电接触，而第三种方法产生圆锥形纳米线轮廓，非常适合创建平滑的电势梯度和浅势垒。低温实验表明，具有刻蚀段的纳米线具有稳定的传输特性，可以作为量子电子器件的构建模块。作为示例，我们报道了在两个刻蚀纳米线段之间形成单个电学稳定的量子点。
引用
@article{arxiv.1601.01562,
title = {Wet etch methods for InAs nanowire patterning and self-aligned electrical contacts},
author = {G. Fülöp and S. d'Hollosy and L. Hofstetter and A. Baumgartner and J. Nygård and C. Schönenberger and S. Csonka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01562},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 5 figures