通过接触印刷实现半导体纳米线阵列的晶圆级组装
材料科学
2008-01-03 v1
摘要
可控且均匀地组装具有高度可扩展性的“自下而上”纳米线 (NW) 材料，一直是纳米线集成应用于纳米及宏观电子电路所面临的主要瓶颈挑战之一。许多研究致力于解决这一挑战，尽管已取得显著进展，但大多数现有方法仍缺乏对纳米线定位的理想可控性，或缺乏大尺度所需的均匀性。在此，我们展示了一种通过简单接触印刷工艺实现高度有序、致密且规则纳米线阵列的晶圆级组装，并具有高均匀性和可重复性。我们将接触印刷证明为一种通用策略，可用于将各种纳米线材料直接转移并可控地定位到基底上的复杂结构构型中。研究表明，通过对接收基底进行表面化学处理，可以方便地调节组装后的纳米线间距，其最高密度接近 ~8 NW/um，方向排列度约为 95%，并具有晶圆级均匀性。此外，我们证明该印刷方法能够实现纳米线阵列在 Si 和塑料基底上各种器件结构的大规模集成，其受控半导体沟道宽度（从而决定 ON 电流）范围从单根纳米线 (~10 nm) 到由超过 1,250 根纳米线组成的平行阵列 (~250 um)。
引用
@article{arxiv.0801.0105,
title = {Wafer-Scale Assembly of Semiconductor Nanowire Arrays by Contact Printing},
author = {Zhiyong Fan and Johnny C. Ho and Zachery A. Jacobson and Roie Yerushalmi and Robert L. Alley and Haleh Razavi and Ali Javey},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.0105},
year = {2008}
}
备注
14 pages,4 figures