基于自下而上纳米线的低温复用技术
介观与纳米尺度物理
2024-01-11 v1 应用物理
摘要
自下而上生长的纳米材料在量子技术的发展中起着不可或缺的作用。其中，半导体纳米线（NWs）被广泛用于原理验证实验，然而传统生长纳米线难以并行处理，致使可扩展性无法实现。在此，我们利用选择性区域生长（SAG）消除这一障碍。我们展示了由 512 通道复用器/解复用器对组成的大规模集成 SAG 纳米线电路，其包含数千根在深低温条件下工作的互连 SAG 纳米线。复用器通过增加器件数量同时限制室温控制电路与低温样品之间的连接数，为量子器件研究与规模化提供了一系列新策略。作为该潜力的示例，我们对大型 identical SAG 量子点阵列进行统计表征，从而确立了应用交叉栅极策略高效扩展未来 SAG 量子电路的可行性。
引用
@article{arxiv.2304.12765,
title = {Cryogenic Multiplexing with Bottom-Up Nanowires},
author = {Dāgs Olšteins and Gunjan Nagda and Damon J. Carrad and Daria V. Beznasiuk and Christian E. N. Petersen and Sara Martí-Sánchez and Jordi Arbiol and Thomas Sand Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.12765},
year = {2024}
}
备注
Main text and Supplementary Information