集成片上场效应晶体管开关与无掺杂 Si/SiGe 量子点以实现高通量测试
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1
摘要
在单个芯片上测量多个量子器件可提高表征通量，并能够测试器件的重复性、工艺良率以及器件设计中的系统性变化。我们提出了一种利用片上场效应晶体管开关来实现双量子点 Si/SiGe 器件多路复用低温测量的方法。多路复用使得表征的器件数量能够随外部导线数量呈指数级增长，鉴于目前常用低温恒温器布线存在的显著限制，这是一项关键能力。我们利用该方法表征了三个标称相同的量子点接触通道，从而能够在稀释制冷机的一次冷却过程中比较它们的积累阈值电压和夹断电压。
引用
@article{arxiv.1305.1837,
title = {Integration of on-chip field-effect transistor switches with dopantless Si/SiGe quantum dots for high-throughput testing},
author = {Daniel R. Ward and D. E. Savage and M. G. Lagally and S. N. Coppersmith and M. A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.1837},
year = {2015}
}