用于研究256个劈裂栅器件中量子输运的低温片上多路复用器
介观与纳米尺度物理
2013-06-19 v1
摘要
我们提出了一种用于在低温系统中测量大量介观器件的多路复用方案。该多路复用器用于接触GaAs/AlGaAs异质结构上的256个劈裂栅阵列，其中每个劈裂栅可以单独测量。劈裂栅器件的低温电导受量子力学支配，导致在2e^2/h的间隔出现电导平台。该阵列实现了94%的受限于制造工艺的良率，并且还定义了一个“量子良率”，以解释影响器件量子行为的无序。在光照样品后，量子良率从55%上升到86%，这归因于二维电子气载流子密度和迁移率的相应增加。该多路复用器是一种可扩展的架构，可以扩展到其他形式的介观器件。它克服了以往由于可用电接触数量限制而无法在单个芯片上制造大量器件的限制，且无需改变现有实验装置。
引用
@article{arxiv.1306.4229,
title = {Cryogenic on-chip multiplexer for the study of quantum transport in 256 split-gate devices},
author = {H. Al-Taie and L. W. Smith and B. Xu and P. See and J. P. Griffiths and H. E. Beere and G. A. C. Jones and D. A. Ritchie and M. J. Kelly and C. G. Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.4229},
year = {2013}
}