用于 256 个量子器件电学特性统计研究的低温器件架构
介观与纳米尺度物理
2014-07-23 v1
摘要
低温电子学领域的研究受限于低温装置上可用的电接触点数量稀少。这不仅限制了可制造的器件数量，也限制了器件与电路的复杂性。我们提出了一种片上多路复用技术，无需修改现有制造工艺或实验装置，即可显著增加单芯片上局部可测量的器件数量。我们通过在低温装置上仅使用 19 个电接触点，对由分裂栅器件形成的 256 条量子线进行电学测量，演示了该多路复用器的运行。该多路复用器允许测量大量器件，使我们能够对量子线中存在的各种电学特征进行统计分析。我们利用此架构研究了电学特性的空间变化以及在两次独立冷却过程中的可重复性。这些统计分析对于研究器件良率和可制造性是必要的，以便此类器件能成为实现量子集成电路的构建模块。该多路复用器提供了一种可扩展的架构，使得对更复杂器件进行一系列进一步研究成为可能。
引用
@article{arxiv.1407.5806,
title = {A low-temperature device architecture for the statistical study of electrical characteristics of 256 quantum devices},
author = {H. Al-Taie and L. W. Smith and B. Xu and P. See and J. P. Griffiths and H. E. Beere and G. A. C. Jones and D. A. Ritchie and M. J. Kelly and C. G. Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.5806},
year = {2014}
}
备注
Proceedings of the 10th International Workshop on Low-Temperature Electronics, pp. 75 - 80 (2013). Available: http://wolte10.lpn.cnrs.fr/FILES/proceedings_6dec2013.pdf