Si/SiGe 量子器件的芯片级 cryogenic 复用
介观与纳米尺度物理
2024-10-18 v1 量子物理
摘要
运行于低温环境中的量子比特面临挑战，预计将成为大规模量子处理器的瓶颈，受限于输入输出连接的数量。经典处理器通过复用来解决此问题；然而，尚未展示芯片级复用电路对低温量子器件具有类似的优势。在本工作中，我们将经典电路与 Si/SiGe 量子器件集成于同一芯片上，为量子比特规模化提供测试平台。我们的方法使用芯片上的场效应晶体管（FETs）来复用工作区的网格，实现控制线缆数量的几乎十倍降低。我们利用该 setup 来探测 6x6mm² 阵列中 16 个霍尔棒器件的特性。我们成功地在低温和高磁场下运行该阵列，观察到量子霍尔效应。基于这些结果，我们提出了面向大规模硅量子处理器的读出愿景，采用有限的控制连接。
引用
@article{arxiv.2410.13721,
title = {On-chip cryogenic multiplexing of Si/SiGe quantum devices},
author = {M. A. Wolfe and Thomas McJunkin and Daniel R. Ward and DeAnna Campbell and Mark Friesen and M. A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.13721},
year = {2024}
}