GaN-MoS2 与 GaN-WS2 核壳纳米线的不同生长策略
材料科学
2022-05-31 v1
摘要
一维 (1D) 纳米结构——纳米线 (NWs)——在集成于各类功能器件方面展现出 promising 的性质。通过将不同 promising 材料（如层状范德瓦耳斯材料和传统半导体）组合成 1D-1D 核壳异质结构，可进一步增强或针对特定应用调控其性质。本工作中，我们展示了通过两种不同方法生长 GaN-MoS2 与 GaN-WS2 核壳 NWs：(1) 在 GaN NWs 上溅射沉积牺牲性过渡金属氧化物涂层随后硫化的两步法；(2) 从相应材料靶材脉冲激光沉积少层 MoS2 或 WS2 于 GaN NWs 上。所制备纳米结构通过扫描与透射电子显微镜、X 射线衍射、微拉曼光谱和 X 射线光电子能谱进行表征。具有少层 MoS2 与 WS2 壳层的高结晶质量核壳 NW 异质结构可通过两种途径制备。实验结果得到理论电子结构计算的支持，其证明了所合成核壳 NW 异质结构作为光催化剂用于高效水制氢的潜力。
引用
@article{arxiv.2205.14991,
title = {Different strategies for GaN-MoS2 and GaN-WS2 core-shell nanowire growth},
author = {Edgars Butanovs and Kevon Kadiwala and Aleksejs Gopejenko and Dmitry Bocharov and Sergei Piskunov and Boris Polyakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.14991},
year = {2022}
}