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(Ga,Mn)As/GaAs周期线中位移场的选择性相干X射线衍射成像

材料科学 2011-10-11 v1

作者: A. A. Minkevich , E. Fohtung , T. Slobodskyy , M. Riotte , D. Grigoriev , M. Schmidbauer , A. C. Irvine , V. Novak , V. Holy , T. Baumbach

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摘要

相干X射线衍射成像被扩展到晶体纳米结构器件中的高分辨率应变分析。通过确定(Ga,Mn)As/GaAs纳米线中的应变分布，展示了其应用潜力。通过在倒易空间中分离衍射信号，我们的反演程序可以独立地重建器件的各个部分。我们证明了该方法对于高集成度器件中材料特异性应变分布重建是有效的。

关键词

相干X射线衍射成像应变分析 (Ga,Mn)As/GaAs纳米线倒易空间反演程序高分辨率纳米结构器件

引用

@article{arxiv.0909.4711,
  title  = {Selective coherent x-ray diffractive imaging of displacement fields in (Ga,Mn)As/GaAs periodical wires},
  author = {A. A. Minkevich and E. Fohtung and T. Slobodskyy and M. Riotte and D. Grigoriev and M. Schmidbauer and A. C. Irvine and V. Novak and V. Holy and T. Baumbach},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0909.4711},
  year   = {2011}
}

备注

5 pages, 5 figures