单根95纳米纳米线的相干衍射成像

当纳米结构的一个维度处于5-300纳米范围时，其中的光子或电子限域效应变得显著。改进其开发需要能够使用新技术研究其结构——形状、应变场、互扩散图。我们利用相干衍射成像记录了横向尺寸小于100纳米的单根硅纳米线的三维散射强度。我们表明，该强度可用于以28纳米的分辨率恢复纳米线的六边形形状。文章还讨论了该方法在辐射损伤方面的局限性。