轴向(In,Ga)N/GaN纳米线中反直觉的应变分布
材料科学
2016-02-11 v1
摘要
我们研究了 GaN 纳米线中轴向 (In,Ga)N 段引起的三维变形场。利用线弹性理论框架内的有限元法，我们研究了应变场对段长度与纳米线半径之比的依赖性。与直觉相反，发现对于长径比接近 1 时，弹性应变张量的面外分量取较大的负值。我们表明这一意外效应是纳米线在自由侧壁处发生形变以及相关的较大剪切应变分量的直接结果。单根 (In,Ga)N/GaN 纳米线的模拟倒易空间图表明，纳米聚焦 X 射线衍射是一种可用于实验评估此种特殊应变状态的技术。
引用
@article{arxiv.1602.03397,
title = {Counterintuitive strain distribution in axial (In,Ga)N/GaN nanowires},
author = {Thilo Krause and Michael Hanke and Oliver Brandt and Achim Trampert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.03397},
year = {2016}
}