GaN 纳米线中的应变演化：从自由表面物体到聚结模板
材料科学
2015-06-16 v1
摘要
利用自上而下制造的直径为 250 nm 且具有不同高度的 GaN 纳米线，实验确定了一维物体垂直方向上的应变演化。X 射线衍射和光致发光技术已被用于获取纳米线从底部到顶部刻面的应变分布，涵盖了初始压缩应变和拉伸应变两种情况。从光学和结构表征得出的弛豫行为与基于连续介质方法的计算数值结果完全吻合。通过监测由侧向自由表面实现的弹性弛豫，估算了纳米线可被视为无应变的高度阈值。基于此结果，将足够高以处于无应变状态的纳米线聚结，形成了连续的 GaN 层。X 射线衍射、光致发光和阴极发光清楚地表明，尽管使用了初始无应变的纳米线模板，最终的 GaN 层仍然是有应变的。
引用
@article{arxiv.1305.7115,
title = {Strain evolution in GaN Nanowires: from free-surface objects to coalesced templates},
author = {M. Hugues and P. A. Shields and F. Sacconi and M. Mexis and M. Auf der Maur and M. Cooke and M. Dineen and A. Di Carlo and D. W. E. Allsopp and J. Zúñiga-Pérez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.7115},
year = {2015}
}