Si(111)上GaN纳米线中的宏观应变与微观应变
介观与纳米尺度物理
2015-12-10 v1
摘要
我们通过X射线衍射分析了GaN纳米线阵列的应变状态。纳米线通过分子束外延在Si(111)衬底上自组织生长。在宏观尺度上，纳米线是无应变的。然而，纳米线的合并导致了大小为到的微观应变。这种微观应变对低温光致发光谱中观察到的线宽有贡献。
引用
@article{arxiv.1206.2525,
title = {Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111)},
author = {Bernd Jenichen and Oliver Brandt and Carsten Pfueller and Pinar Dogan and Mathias Knelangen and Achim Trampert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.2525},
year = {2015}
}