低温下栅极全包围硅纳米线的双工作模式:场效应晶体管与量子点
介观与纳米尺度物理
2023-12-05 v1 量子物理
摘要
由于 CMOS 结构有望承载硅自旋量子比特,并用于将量子系统与其经典控制模块进行协同集成,因此需要研究此类结构在低温下的电学行为。本文表征了栅极全包围(GAA)n-MOSFET 硅纳米线(NWs)从室温至 1.7 K 的电学特性。我们证明,这些器件在低温下既可作为晶体管工作,又可承载量子点。在晶体管的经典工作区,我们展示了器件性能的提升;在量子工作区,我们展示了 GAA 器件中量子点的系统性形成。
引用
@article{arxiv.2312.00903,
title = {Dual Operation of Gate-All-Around Silicon Nanowires at Cryogenic Temperatures: FET and Quantum Dot},
author = {C. Rohrbacher and J. Rivard and R. Ritzenthaler and B. Bureau and C. Lupien and H. Mertens and N. Horiguchi and E. Dupont-Ferrier},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.00903},
year = {2023}
}
备注
4 pages, 4 figures