GaN/AlGaN FET 中量子点的形成
介观与纳米尺度物理
2021-03-11 v2
摘要
GaN 及其异质结在凝聚态科学和电子器件应用中颇具吸引力。我们在低温下测量了 GaN/AlGaN 场效应晶体管(FETs)中的电子输运。我们观察到在二维电子气(2DEG)耗尽附近的导电沟道中形成了量子点。多个量子点在由 FET 导电沟道中杂质诱导的无序势中形成。我们还测量了栅绝缘体对输运特性的依赖关系。这些结果可用于开发利用 GaN/AlGaN 异质结的量子点器件,以及评估 GaN/AlGaN FET 沟道中的杂质。
引用
@article{arxiv.2002.03297,
title = {Formation of quantum dots in GaN/AlGaN FETs},
author = {Tomohiro Otsuka and Takaya Abe and Takahito Kitada and Norikazu Ito and Taketoshi Tanaka and Ken Nakahara},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.03297},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 figures