利用量子传输特性探测 GaN/AlGaN FET 中电子捕获的电流坍缩
介观与纳米尺度物理
2024-12-18 v1
摘要
GaN 因其独特的性能而被视为下一代电子器件的关键材料。然而，电流坍缩（current collapse）构成了将 GaN FET 应用于电子器件的挑战。本研究探讨了在电流坍缩条件下 GaN FET 中量子点形成机制。通过比较常规测量和电流坍缩下的库仑金字塔，我们发现电流坍缩显著降低了栅极电容。这表明电流坍缩改变了器件表面 trapped 电子的分布，前一研究通过原位 X 射线光谱学报道了这一现象。我们还展示了通过电流坍缩实现对量子点形成的外部控制——此前在 FET 结构中具有挑战性。
关键词
引用
@article{arxiv.2408.04109,
title = {Probing electron trapping by current collapse in GaN/AlGaN FETs utilizing quantum transport characteristics},
author = {Takaya Abe and Motoya Shinozaki and Kazuma Matsumura and Takumi Aizawa and Takeshi Kumasaka and Norikazu Ito and Taketoshi Tanaka and Ken Nakahara and Tomohiro Otsuka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.04109},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 4 figures