门控依赖的隧穿诱导能级移动在碳纳米管量子点中的观测
介观与纳米尺度物理
2016-03-28 v2
摘要
我们研究了清洁单壁碳纳米管量子点中的电子输运。由于大量库仑阻塞菱形同时展现出壳层结构和科恩效应，我们能够对隧穿重整化效应进行详细分析，从而确定该人造原子由环境诱导的能级移动。在仅有一个轨道与另一个轨道强耦合的壳层中，我们观察到非弹性共隧穿线具有显著的不对称门控依赖性，以及库仑菱形的大小（和形状）具有系统的门控依赖性。这些效应都可以用隧穿耦合的二阶微扰理论给出简单的解释。
引用
@article{arxiv.0711.4913,
title = {Gate-dependent tunneling-induced level shifts observed in carbon nanotube quantum dots},
author = {J. V. Holm and H. I. Jørgensen and K. Grove-Rasmussen and J. Paaske and K. Flensberg and P. E. Lindelof},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.4913},
year = {2016}
}