单重态 - 三重态交叉处的有限偏压电导异常
介观与纳米尺度物理
2013-01-10 v2
摘要
量子点和单分子晶体管可能会表现出由调节外部参数（如磁场或栅极电压）诱导的能级交叉。对于库仑阻塞器件，这表现为微分电导中的非弹性共隧穿阈值，该阈值在交叉处可调至零。在此我们表明，此外，能级交叉还可在相关的库仑菱形内的微分电导中产生近乎垂直的阶跃边缘、脊线，甚至是类 Fano 的脊 - 谷特征。我们研究了单重态和三重态基态之间可栅极调节的准简并性，并展示了这些不同形状如何由非平衡占据态与态之间弱（自旋 - 轨道）混合之间的竞争所导致。我们的结果与近期对 Mn 配合物的输运测量结果 [E. A. Osorio 等，Nano Lett. 10, 105 (2010)] 在定性上相符。该效应具有完全的一般性，应在广泛的库仑阻塞器件中可观测到。
引用
@article{arxiv.1207.3020,
title = {Finite-bias conductance anomalies at a singlet-triplet crossing},
author = {Chiara Stevanato and Martin Leijnse and Karsten Flensberg and Jens Paaske},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3020},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 6 figures. Published version