刻蚀单层及少层 MoS2 纳米带中的库仑阻塞

二维过渡金属硫族化合物的限域是捕获单电荷与自旋以用于量子信息处理的极具吸引力的平台。在此，我们展示通过刻蚀的 50–70 nm MoS2 纳米带的低温电子输运，其电流随栅极电压呈振荡现象。进一步研究发现，器件电流作为源-漏电压与栅极电压的函数形成菱形区域。我们将这些电流振荡与菱形电流区域归因于 MoS2 纳米带中形成的量子点内单电子隧穿所引起的库仑阻塞。由库仑菱形尺寸估计量子点尺寸小至 10–35 nm。我们讨论了纳米带器件中量子点的可能起源，以及在此类刻蚀 MoS2 纳米带中控制或设计量子点的前景，其可成为二维过渡金属硫族化合物中自旋-谷量子比特的有前景平台。