GaN/AlGaN FETs 中微波相关的量子输运特性
介观与纳米尺度物理
2024-07-19 v1
摘要
半导体中的缺陷传统上被视为对电子器件性能有害的因素，但由于其独特的量子特性，已成为量子技术中潜在宝贵资源。本研究探讨了缺陷与 GaN/AlGaN 场效应晶体管中量子电子输运之间的相互作用，重点观察到在低温下观察到的 Fano 共振。我们观察到共振谱及其对栅电压和磁场的依赖性。为解释观察到的行为，我们构建了一种带有限宽度的 Fano 干涉仪可能场景。我们的发现表明，半导体缺陷在量子信息处理领域发挥作用，为下一代量子器件中的关键组件提供了其作用。
引用
@article{arxiv.2404.11756,
title = {Microwave dependent quantum transport characteristics in GaN/AlGaN FETs},
author = {Motoya Shinozaki and Takaya Abe and Kazuma Matsumura and Takumi Aizawa and Takashi Kumasaka and Tomohiro Otsuka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.11756},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 6 figures