单共振隧穿GaAs纳米转换器的能量优化效应
介观与纳米尺度物理
2020-06-02 v1
摘要
人们已提出多种热离子能量纳米转换器模型，以研究电子器件中发生的输运现象。例如，在共振隧穿结中，这些现象通过热电效应表现出来。此类半导体异质结构中电子通量与热通量之间的耦合，不仅可获取输运系数（电导率、热导率以及类塞贝克系数和类佩尔捷系数），还可依据不可逆热力学研究其作为热离子发电机或制冷机的运行。任何线性能量转换器均可达到的特征稳态，使我们得以刻画一类类塞贝克系数，并为一种品质因数的取值建立界限，二者均与已知的工作区间相关：最小耗散函数、最大功率输出、最大效率和最大折衷函数。以结为例，我们发现输运系数强烈依赖于温度与导带高度，而后者可根据所选工作模式进行调制。
引用
@article{arxiv.1910.12398,
title = {Energetic optimization effects in single resonant tunneling $GaAs$--nanoconverters},
author = {G. Valencia-Ortega and L. A. Arias-Hernandez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.12398},
year = {2020}
}
备注
18 pages, 6 figures