Kondo 关联单量子点晶体管中 Seebeck 系数的直接测量
介观与纳米尺度物理
2019-01-31 v1
摘要
我们报道了利用电迁移技术制备的、在 Kondo regime 下具有隧穿接触且栅极可调的单个单量子点结中 Seebeck 系数的首次测量。这一基本热电参数通过直接监测在结两端存在温差响应下感应电压的大小获得，同时保持器件中净隧穿电流为零。与在扫描隧道显微镜（STM）构型中探测的块体材料与单分子不同，在纳米尺度电子晶体管中研究热功率得益于电可调性以展示显著的量子效应。此处，通过改变温度可诱导 Seebeck 系数的显著符号变化，这取决于量子点中的自旋构型。与数值重整化群（NRG）计算的比较表明，无论在共隧穿还是 Kondo regime，引线中隧穿态密度在费米能级附近普遍是非对称的。
关键词
引用
@article{arxiv.1811.04219,
title = {Direct measurement of the Seebeck coefficient in a Kondo-correlated single-quantum-dot transistor},
author = {B. Dutta and D. Majidi and A. Garcia Corral and P. Erdman and S. Florens and T. Costi and H. Courtois and C. B. Winkelmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.04219},
year = {2019}
}