二维电子系统中栅极可调拓扑激发的证据
介观与纳米尺度物理
2012-03-27 v1
摘要
拓扑缺陷从固态物理到宇宙学中无处不在，它们通过以畴壁、单极子或涡旋的形式增殖来驱动相变。作为量子激发，它们通常表现出分数电荷和任意子统计，这使得它们与拓扑保护的量子计算相关，但实现拓扑激发的可控物理资源一直很困难。在此，我们报告了在 GaAs/AlGaAs 异质结中强相互作用二维电子系统 (2DESs) 的局域化转变过程中存在拓扑激发的证据。我们发现低电子密度下的电导率遵循类似 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless (BKT) 的有序-无序转变，这意味着带电拓扑缺陷的栅极可调增殖。在低温下，观察到电导率对温度依赖性的减弱，并将其与缺陷的零点涨落和退局域化联系起来。我们的实验也为存在无序时强相互作用 2DESs 基态的本质提供了关键见解。
引用
@article{arxiv.1005.1379,
title = {Evidence of gate-tunable topological excitations in two-dimensional electron systems},
author = {R. Koushik and Matthias Baenninger and Vijay Narayan and Subroto Mukerjee and Michael Pepper and Ian Farrer and David A. Ritchie and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.1379},
year = {2012}
}
备注
4 figures