具有高阈值电压的高组分 AlGaN 沟道 HEMT 建模
材料科学
2015-06-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了由高组分 AlGaN 沟道层和势垒层构成的高电子迁移率晶体管（HEMTs）在功率开关应用中的潜力。详细的二维模拟表明，通过使用 AlGaN 沟道层可实现超过 3 V 的阈值电压。我们还计算了 AlGaN 沟道 HEMTs 中的二维电子气（2DEG）迁移率，并评估了其作为器件工作温度和沟道中 Al 摩尔分数函数的功率优值。我们的模型表明，在相同工作电压下，具有 AlGaN 沟道的功率开关晶体管的导通电阻可与基于 GaN 沟道的晶体管相媲美。本文的建模展示了高组分 AlGaN 作为未来高阈值增强模式晶体管沟道材料的潜力。
引用
@article{arxiv.1411.1447,
title = {Modeling of High Composition AlGaN Channel HEMTs with Large Threshold Voltage},
author = {Sanyam Bajaj and Ting-Hsiang Hung and Fatih Akyol and Digbijoy Nath and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.1447},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures