高压(~2 kV)场板Al0.64Ga0.36N-channel HEMT
应用物理
2024-07-16 v1
摘要
制造了高压(~2 kV)的AlGaN-channel HEMT，通道中铝含量为64%。器件的平均合闸电阻为~75欧米.mm (~21 miliohm. cm^2)，当LGD为20微米时。击穿电压在无封装处理下达到>3 kV(工具极限)，但在SiN表面封装和场板后降至~2 kV。 apparent 的高击穿电压在无封装前可能归因于带电陷阱状态表面的场板效应。击穿电压和RON在散布图中表现出强线性相关，约有50个测量的 HEMT。在100微秒脉冲IV测量中，施加40 V的卸载电压(工具极限)，动态RON相对于DC RON增加约5%，电流塌陷<10%。
关键词
引用
@article{arxiv.2407.10354,
title = {High Voltage (~2 kV) field-plated Al0.64Ga0.36N-channel HEMTs},
author = {Md Tahmidul Alam and Jiahao Chen and Kenneth Stephenson and Md Abdullah-Al Mamun and Abdullah Al Mamun Mazumder and Shubhra S. Pasayat and Asif Khan and Chirag Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.10354},
year = {2024}
}
备注
4 pages, 6 figures