Si 衬底上经形成气体/氮气两步退火的 fmax = 270 GHz InAlN/GaN HEMT
应用物理
2020-05-19 v1
摘要
在本快报中，N2 与形成气体（FG）被用于 Si 衬底上 InAlN/GaN HEMT 的欧姆接触退火。研究发现，N2 退火提供更低的欧姆接触电阻（RC），而 FG 退火具有更低的方块电阻（Rsheet）。随后采用 FG/N2 两步退火，在 50 nm InAlN/GaN HEMT on Si 上实现了 113 mV/dec 的亚阈值摆幅（SS）、约 10^6 的开/关电流（Ion/Ioff）比、415 mS/mm 的跨导（gm）峰值、65 mV/V 的创纪录低漏致势垒降低（DIBL），以及 270 GHz 的创纪录高功率增益截止频率（fmax）。
引用
@article{arxiv.2005.08422,
title = {Fmax = 270 GHz InAlN/GaN HEMT on Si with forming gas/nitrogen two-step annealing},
author = {Peng Cui and Meng Jia and Guangyang Lin and Jie Zhang and Lars Gundlach and Yuping Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.08422},
year = {2020}
}
备注
13 pages, and 4 figures