采用双层 SiNx 应力层改善 AlGaN/GaN HEMT 阈值电压并降低泄漏
应用物理
2019-08-02 v1 材料科学
摘要
本工作中，研究了带有双层 SiNx 应力层（由低应力层和高应力层组成）的 AlGaN/GaN HEMT。低应力填充层解决了高应力 SiNx 沉积过程中引起的表面损伤问题，并提供了良好的钝化界面。带有双层应力层的 HEMT 阈值电压（Vth）提高了 1 V，其导通电流和 RF 电流增益与无应力层器件相当。此外，由于 AlGaN 中电场降低，抑制了栅极注入电流，应变器件的关态电流（I_off）降低了一到三个数量级。双层应力层方案支持应变工程作为实现 AlGaN/GaN HEMT 常关工作的有效途径。
引用
@article{arxiv.1908.00125,
title = {Threshold Voltage Improvement and Leakage Reduction of AlGaN/GaN HEMTs Using Dual-Layer SiNx Stressors},
author = {Wei-Chih Cheng and Minghao He and Siqi Lei and Liang Wang and Jingyi Wu and Fanming Zeng and Qiaoyu Hu and Feng Zhao and Mansun Chan and Guangrui and Xia and Hongyu Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.00125},
year = {2019}
}