用于增强 GaN 基高电子迁移率晶体管二维电子气特性的 BAlN 合金
应用物理
2020-05-05 v1
摘要
新兴的宽禁带 BAlN 合金在包括高电子迁移率晶体管（HEMT）在内的 III 族氮化物功率器件中具有改进潜力。然而相关研究甚少。在本工作中，我们研究了在传统 GaN 基高电子迁移率晶体管（HEMT）中，将 B0.14Al0.86N 合金用作 GaN 缓冲层与 AlGaN 势垒之间插入层的部分或全部。数值结果表明，用 B0.14Al0.86N 插入层或 B0.14Al0.86N/AlN 混合插入层替代传统 AlN 插入层，可显著提高二维电子气（2DEG）浓度，且 2DEG 向三元层泄漏较小。因此，转移特性可得以改善。饱和电流也可增强。例如，当 VGS-Vth= +3 V 时，具有 0.5 nm B0.14Al0.86N/0.5 nm AlN 混合插入层和 1 nm B0.14Al0.86N 插入层的 HEMT 的饱和电流分别比 AlN 插入层高 5.8% 和 2.2%。
引用
@article{arxiv.2005.01161,
title = {BAlN alloy for enhanced two-dimensional electron gas characteristics of GaN-based high electron mobility transistor},
author = {Rongyu Lin and Xinwei Liu and Kaikai Liu and Yi Lu and Xinke Liu and Xiaohang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.01161},
year = {2020}
}