通过离子束技术合成的 AlGaN 纳米线的光学性质
材料科学
2017-06-01 v1
摘要
AlGaN 在异质结构高电子迁移率晶体管中通过利用二维电子气发挥着至关重要的作用，并且作为多量子阱发光二极管中的电子阻挡层。然而，在 GaN 中掺入 Al 以形成 AlGaN 合金受到由反应性原子 N 对 Al 吸附原子的瞬时氮化所形成的扩散势垒的限制。不过，高于混溶极限的 Al 掺入可以通过离子束技术实现。众所周知的离子束混合（IBM）技术借助 Ar+ 辐照以不同注量进行。还采用了一种新方法，通过辐照后扩散（PID）工艺合成 AlGaN，作为与 IBM 技术的对比研究。本文报道了通过两种不同离子束加工方法合成的 AlGaN 纳米线的光学研究。通过振动和光致发光（PL）光谱研究，考察了辐照注量和辐照后退火温度对随机合金形成的影响。振动研究表明，在随机合金模型中，AlGaN 纳米线的纤锌矿相表现出对应于 A1 对称性纵向光学（LO）模（A1(LO)）的单模声子行为。借助能带弯曲形式从拉曼光谱分析计算出 IBM 和 PID 工艺合成样品的最大 Al 原子百分比约为 6.3-6.7%。PL 研究显示了这些样品中存在的缺陷程度。
引用
@article{arxiv.1705.03635,
title = {Optical properties of AlGaN nanowires synthesized via ion beam techniques},
author = {Santanu Parida and P. Magudapathy and A. K. Sivadasan and Ramanathaswamy Pandian and Sandip Dhara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.03635},
year = {2017}
}