面向量子光学应用优化绝缘体上铝镓砷
光学
2021-02-03 v2 量子物理
摘要
砷化铝镓具有用于集成参量光学相互作用的极佳特性:大的材料非线性、通过外延生长与光刻成熟建立的纳米尺度结构化能力,以及用于宽带低损耗运行的大带隙。然而,只有当该半导体嵌入介电包层中以形成高限制波导时,其在创纪录强度非线性相互作用方面的全部潜力才得以释放。通过对此类结构的仿真,我们展示了二阶与三阶光子对生成,其可改进最先进的量子光学光源,并使强参量光子-光子非线性的新颖 regime 成为可能。
引用
@article{arxiv.2008.11531,
title = {Engineering AlGaAs-on-insulator towards quantum optical applications},
author = {Marlon Placke and Sven Ramelow},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.11531},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 4 figures, resubmitted version