砷化镓 (GaAs) 量子光子波导电路
量子物理
2015-06-02 v2 光学
摘要
集成量子光子学是未来实用化大规模量子信息处理技术的一种有前景的方法，有望实现复杂光量子态的片上产生、操控和测量。砷化镓 (GaAs) 材料体系是一个有前景的技术平台，并已成功展示了关键组件，包括波导集成单光子源和集成单光子探测器。然而，迄今为止尚未在该材料体系中研究能够操控光量子态的量子电路。在此，我们报道了用于操控单光子和双光子态的 GaAs 光子电路。在 GaAs 定向耦合器中观察到了可见度为 94.9 +/- 1.3% 的双光子量子干涉。利用电光 Pockels 效应，在马赫 - 曾德尔干涉仪中分别展示了可见度为 98.6 +/- 1.3% 的经典干涉条纹和 84.4 +/- 1.5% 的量子干涉条纹。这项工作为基于 GaAs 材料体系的全集成量子技术平台铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1403.2635,
title = {Gallium Arsenide (GaAs) Quantum Photonic Waveguide Circuits},
author = {Jianwei Wang and Alberto Santamato and Pisu Jiang and Damien Bonneau and Erman Engin and Joshua W. Silverstone and Matthias Lermer and Johannes Beetz and Martin Kamp and Sven Hofling and Michael G. Tanner and Chandra M. Natarajan and Robert H. Hadfield and Sander N. Dorenbos and Val Zwiller and Jeremy L. O'Brien and Mark G. Thompson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.2635},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures