绝缘体上AlGaAs非线性光子学
光学
2016-08-08 v1
摘要
非线性与集成光子学的结合近年来迅猛发展，其中微谐振器中的Kerr频率梳生成是最显著的成就。高效非线性光子芯片有着无数应用，包括高速光信号处理、片上多波长激光器、计量、分子光谱学以及量子信息科学。铝镓砷（AlGaAs）在低于其带隙能量一半的条件下工作时表现出极高的材料非线性和低非线性损耗。然而，器件加工困难以及器件有效非线性低使得Kerr频率梳生成难以实现。在此，我们展示了绝缘体上AlGaAs（AlGaAs-on-insulator）作为通信波长下的非线性平台。利用新开发的制备工艺，我们展示了在平面电路中具有集成总线波导的高品质因子（Q>100,000）微谐振器，其中实现了光学参量振荡，阈值功率创纪录地低至3 mW，并获得了跨度350 nm的频率梳。我们的演示显示了绝缘体上AlGaAs平台在集成非线性光子学中的巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1509.03620,
title = {AlGaAs-On-Insulator Nonlinear Photonics},
author = {Minhao Pu and Luisa Ottaviano and Elizaveta Semenova and Kresten Yvind},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.03620},
year = {2016}
}
备注
21 pages, 12 figures, 1 table, 41 references