利用双通道 AlN/GaN HEMT 结构抑制源于表面的栅极滞后
介观与纳米尺度物理
2016-08-24 v1
摘要
展示了一种双通道 AlN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构，该结构利用超薄外延层来抑制与表面态相关的栅极滞后。AlN/GaN/AlN/GaN 异质结构中采用了两个高密度二维电子气 (2DEG) 通道，其中顶部 2DEG 作为准等势体，屏蔽由表面和界面俘获电荷引起的电势波动。底部通道作为晶体管的调制通道。通过分子束外延在独立式 HVPE GaN 衬底上生长双通道 AlN/GaN 异质结构，并制备了栅长 300 nm 的凹栅与非凹栅 HEMT。凹栅 HEMT 表现出 0.88 的栅极滞后比 (GLR)，漏电流无塌陷，且支持 27/46 GHz 的小信号指标 。这些性能结果与 GLR 为 0.74、电流塌陷为 82 mA/mm 且 为 48/60 GHz 的非凹栅双通道 HEMT 形成对比。
引用
@article{arxiv.1508.07794,
title = {Suppression of Surface-Originated Gate-Lag by a Dual-Channel AlN/GaN HEMT Architecture},
author = {David A. Deen and David F. Storm and D. Scott Katzer and Robert Bass and David J. Meyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.07794},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 6 figures, in review at IEEE Transactions on Electron Devices