AlN/GaN HEMT 的缩放与高频性能
介观与纳米尺度物理
2017-07-31 v1 应用物理
摘要
对栅极长度为 80-160 nm、宽度为 100-300 {\mu}m 的 AlN/GaN HEMT 进行了小信号和大信号射频特性测量。与文献一致，发现电流增益截止频率和最大振荡频率随栅极长度的倒数增加而增加，且与栅极宽度无关。首次在 X 波段高端报道了输出功率和效率，其性能与 2 GHz 处的最佳报道相当，且对栅极长度或宽度不敏感。这些结果表明，AlN/GaN HEMT 可进一步缩放以实现更高的频率和更高的功率性能。
引用
@article{arxiv.1707.09065,
title = {Scaling and High-Frequency Performance of AlN/GaN HEMTs},
author = {Xi Luo and Subrata Halder and Walter R. Curtice and James C. M. Hwang and Kelson D. Chabak and Dennis E. Walker, and Amir M. Dabiran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.09065},
year = {2017}
}