采用P型缓冲层模拟阈值电压大于5V的增强型GaN HEMT
仪器与探测器
2015-11-17 v1
摘要
讨论并模拟了一种具有P型掺杂缓冲层的高阈值电压增强型GaN HEMT。推导了解析表达式以解释缓冲层电容在设计和提高阈值电压中的作用。所提出的带P型缓冲层器件的仿真显示阈值电压高于5 V，且随着氧化层电容减小阈值电压发生正偏移，从而实现了GaN基HEMT前所未有的阈值电压可调范围。还讨论了所提出的pGaN背栅HEMT器件中的电场分布、击穿性能、导通电阻与延迟之间的权衡。
引用
@article{arxiv.1511.04438,
title = {Simulation of Enhancement Mode GaN HEMTs with Threshold > 5 V using P-type Buffer},
author = {Sanyam Bajaj and Fatih Akyol and Sriram Krishnamoorthy and Ting-Hsiang Hung and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.04438},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 7 figures