全耗尽GaN薄膜中背景载流子浓度的估算
材料科学
2015-10-20 v2
摘要
缓冲层泄漏是AlGaN/GaN HEMT中一种重要的寄生损耗机制，因此采用各种方法生长半绝缘缓冲层。由于此类缓冲层即使在零偏压下也处于全耗尽状态，利用传统的基于电容的剖面技术对其载流子浓度进行量化颇具挑战性。我们提供了一种简单有效的模型，利用电容-电压(C-V)测量来提取全耗尽GaN薄膜中的载流子浓度。为了验证该模型，我们对具有不同厚度和掺杂水平的GaN薄膜进行了广泛的汞探针C-V剖面测试。对于具有相同掺杂浓度的部分耗尽薄膜，从传统C-V技术和霍尔测量提取的载流子浓度与该模型预测值高度吻合，从而确立了该技术的实用性。该模型可容易地推广至从HEMT结构的耗尽区电容以及任意类别半导体材料的全耗尽薄膜中估算背景载流子浓度。
引用
@article{arxiv.1506.07320,
title = {Estimation of background carrier concentration in fully depleted GaN films},
author = {Hareesh Chandrasekar and Manikant Singh and Srinivasan Raghavan and Navakanta Bhat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.07320},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 6 figures