不同碳掺杂浓度 AlGaN/GaN HEMT 的可靠性比较
应用物理
2021-08-02 v2
摘要
通过不同的应力测试，研究了采用 Fe 与 C 共掺杂、具有高与低碳掺杂浓度的 AlGaN/GaN HEMT 的可靠性。首先讨论了室温下的 DC 与脉冲 I-V 表征，然后比较了不同栅压下的漏极阶跃应力测试，之后讨论了不同偏置点下的恒定应力。结果表明，与参考器件相比，高 C HEMT 表现出减小的 DIBL、更小的泄漏电流以及降低的电场，从而在进行开态应力测试时鲁棒性得到改善。恒定电压应力期间的失效模式表现为漏极电流与跨导的下降，并由温度与电场加速。
引用
@article{arxiv.2107.08412,
title = {Reliability comparison of AlGaN/GaN HEMTs with different carbon doping concentration},
author = {Z. Gao and M. Meneghini and F. Rampazzo and M. Rzin and C. De Santi and G. Meneghesso and E. Zanoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.08412},
year = {2021}
}
备注
["European Union (EU)" & "Horizon 2020"]["Euratom" & Euratom research & training programme 2014-2018"][EUGANIC][EDA Contract B 1447 IAP1 GP][5G_GaN_2]