超越莫特转变的GaN锗掺杂
材料科学
2016-10-11 v2
摘要
我们报道了以锗作为n型掺杂剂在等离子体辅助分子束外延生长纤锌矿GaN薄膜中的研究，在300K下达到高达6.7E20 cm-3的载流子浓度，远超莫特密度。发现Ge浓度和自由载流子密度在所研究范围内与Ge通量线性标度。所有GaN:Ge层均呈现具有原子台阶的平滑表面形貌，无坑或裂纹痕迹，且样品的镶嵌结构与Ge浓度无明显依赖关系。GaN:Ge带隙随载流子浓度的变化与由于电子-电子和电子-离子相互作用以及伯斯坦-莫斯效应导致的带隙重整化理论计算一致。
引用
@article{arxiv.1604.00231,
title = {Ge doping of GaN beyond the Mott transition},
author = {A. Ajay and J. Schörmann and M. Jimenez-Rodriguez and C. B. Lim and F. Walther and M. Rohnke and I. Mouton and L. Amichi and C. Bougerol and M. I. Den Hertog and M. Eickhoff and E. Monroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.00231},
year = {2016}
}