追踪GaN:Gd中缺陷诱导的铁磁性
材料科学
2015-05-27 v2
摘要
我们报道了通过分子束外延（MBE）生长的GaN:Gd层的磁性质。在这些样品中发现了磁性质方面较差的可重复性。我们的结果有力地表明，浓度量级为10^19 cm^-3的缺陷可能对磁性质起着重要作用。正电子湮没光谱不支持GaN:Gd中铁磁性与镓空位之间存在所建议的联系。GaN:Gd的氧共掺杂促进了室温下的铁磁性，并指出了氧在介导Gd掺杂GaN中的铁磁相互作用中的作用。
引用
@article{arxiv.1103.4256,
title = {Tracking defect-induced ferromagnetism in GaN:Gd},
author = {Martin Roever and Joerg Malindretos and Amilcar Bedoya-Pinto and Angela Rizzi and Christian Rauch and Filip Tuomisto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4256},
year = {2015}
}