辐照 GaN 层中与磁性活性空位相关的缺陷
材料科学
2012-08-29 v3
摘要
我们展示了对金属有机物化学气相沉积法生长的 GaN 进行 2 MeV 4He+ 辐照后的磁学性质研究。粒子辐照能够在样品中可控地引入 Ga 空位。观测到浓度在 4.3...8.3x10^17 cm^-3 之间变化的磁矩，并在室温下表现出超顺磁阻塞现象。在 T = 5 K 时出现的清晰磁滞回线，其矫顽场约为 H_C = 270 Oe，表明随着 Ga 空位含量的增加，促进了更复杂的 Ga 空位相关缺陷的形成。观测到的磁性活性缺陷浓度相对于总 Ga 空位浓度较小，这表明与氧/氢相关的空位复合体是观测到的磁矩的来源。
引用
@article{arxiv.1203.1142,
title = {Magnetically active vacancy related defects in irradiated GaN layers},
author = {L. Kilanski and F. Tuomisto and R. Szymczak and R. Kruszka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1142},
year = {2012}
}
备注
3 pages, 3 figures