通过修饰边缘和缺陷工程在CVD生长的纳米尺寸MoS2薄片中实现高度增强的鲁棒室温铁磁性
材料科学
2025-05-28 v1
摘要
本文深入研究了化学气相沉积（CVD）生长的纳米尺寸二硫化钼（MoS2）在低能离子辐照后磁性和电子结构的变化。通过拉曼光谱和X射线衍射（XRD）确认了纯六方2-H相的形成。原始样品在不同注量下用低能氩（Ar）离子进行辐照。对拉曼光谱数据的综合分析表明，辐照后样品中形成了如硫空位等晶格缺陷。场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像证实了原始样品中三角形薄片的形成。随着辐照注量的增加，大片开始碎裂成更小的片，从而增加了边缘终止结构的数量。电子探针显微分析仪（EPMA）分析验证了不存在任何磁性杂质。卢瑟福背散射谱（RBS）和X射线光电子能谱（XPS）研究证实了辐照后硫空位的形成。原始样品在室温下表现出抗磁性行为。饱和磁化强度值随着离子辐照注量的增加而增加，经1e15 ions/cm2辐照的样品表现出最高的磁化强度值，达到4.18 emu/g。本文深入探讨了边缘终止结构和硫空位等点缺陷对诱导室温铁磁性（RTFM）的影响。
引用
@article{arxiv.2505.20695,
title = {Highly Enhanced robust room temperature ferromagnetism in CVD-grown nano-dimensional MoS2 flakes by modifying edges and defect engineering},
author = {Sharmistha Dey and Nahid Chaudhary and Ulrich Kentsch and Rajendra Singh and Pankaj Srivastava and Santanu Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.20695},
year = {2025}
}