探测CVD生长MoO3薄片中缺陷诱导的室温铁磁性：与电子结构及基于第一性原理计算的相关性
材料科学
2023-09-06 v1 其他凝聚态物理
摘要
在本文中，我们报道了通过CVD技术生长纯{\alpha}-MoO3微薄片及其结构、电子、光学和磁学性质。样品在H2气氛中于不同温度退火以诱导铁磁性。所有样品均表现出室温铁磁性，250℃退火的样品显示出最高的磁矩0.087 emu/g。PL数据明显表明，原始及退火样品包含不同类型的缺陷，如氧空位、表面缺陷、间隙氧等。由Mo3d和O1s核心能级XPS谱分析推断，氧空位随退火温度升至250℃而增加，这与磁矩相关。通过基于第一性原理的计算，注意到两个和三个氧空位时总态密度和磁矩均发生显著变化。结论是磁矩由氧空位或空位团簇产生，这与我们的实验发现一致。
引用
@article{arxiv.2309.02277,
title = {Probing defect induced room temperature ferromagnetism in CVD grown MoO3 flakes: A correlation with electronic structure and first principle-based calculations},
author = {Sharmistha Dey and Vikash Mishra and Neetesh Dhakar and Sunil Kumar and Pankaj Srivastava and Santanu Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.02277},
year = {2023}
}