GaN中镓空位-氧缺陷复合物导致多波段发光的归属
材料科学
2018-06-29 v1
摘要
氧是GaN中最常见的非故意杂质。我们研究了替代位氧(ON)与镓空位(VGa)在GaN中形成点缺陷复合物的相互作用。在n型GaN中，镓空位通过与氧复合其形成能大幅降低，而热力学与光学跃迁能级仍位于带隙内。我们采用杂化量子力学-分子力学(QM/MM)嵌入晶体方法研究该复合物的光谱。我们揭示了单一缺陷中心如何因扩散(扩展)空穴与紧致(局域化)空穴的共存，而对多波段发光负责，包括n型GaN中普遍观察到的黄色发光特征。
引用
@article{arxiv.1802.10222,
title = {Assignment of multiband luminescence due to the gallium vacancy-oxygen defect complex in GaN},
author = {Zijuan Xie and Yu Sui and John Buckeridge and Alexey A. Sokol and Thomas W. Keal and Aron Walsh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.10222},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 4 figures