离子注入MgO晶体中缺陷调制的能带修饰：实验与第一性原理计算
材料科学
2022-02-15 v1
摘要
缺陷的产生与湮灭是器件制备中的基本概念。本报告研究了通过 MeV Ni 离子辐照在MgO的价带与导带间诱导缺陷态所引起的光学带隙修饰。对MgO单晶的离子注入产生了替代缺陷态以及 F（阴离子空位中心）、、其他氧空位中心和 V（阳离子空位中心）中心，这由吸收和光致发光光谱证实，可应用于基于价电荷存储的阻变随机存取存储器中的灯丝。光学带隙随Ni离子注量的变化通过修饰电子能带结构得以确定。密度泛函理论（DFT）计算有助于理解包含MgO结构的空位与替代缺陷的电子能带结构演化。
引用
@article{arxiv.2202.06849,
title = {Defect Modulated Band Modification in Ion Implanted MgO Crystal: Experimental and Ab Initio Calculations},
author = {Sourav Bhakta and Subhadip Pradhan and Ashis K. Nandy and Pratap K. Sahoo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.06849},
year = {2022}
}