声子输运揭示GaN中普遍存在的点缺陷
材料科学
2018-06-06 v1
摘要
确定有意掺杂GaN中存在的空位类型与浓度是一个 notoriously 困难且长期争论的问题。此处我们使用一种基于热输运建模的非常规方法，来确定先前测量中空位的普遍程度。这使我们能为近期假说提供结论性证据：在氨热生长样品中镓空位可与氢形成复合体。我们对O掺杂与Mg-O共掺杂样品的计算得出了一致图像，将掺杂剂与空位浓度、载流子密度和热导率相互关联，与实验测量极为吻合。这些结果也凸显了第一性原理声子输运建模的预言能力，及其对理解与量化半导体中缺陷的价值。
引用
@article{arxiv.1712.08124,
title = {Phonon transport unveils the prevalent point defects in GaN},
author = {Ankita Katre and Jesús Carrete and Tao Wang and Georg K. H. Madsen and Natalio Mingo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.08124},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 supplementary material file