高电阻率外延 Mg 掺杂 GdN 薄膜
材料科学
2015-06-23 v1 强关联电子
摘要
我们报道了通过分子束外延生长高电阻率 GdN 的方法，采用了 intentional 镁掺杂。对于 Mg 浓度高达 atoms/cm 的薄膜，获得了电阻率为 1000 {\Omega}.cm、载流子浓度为 cm 的 Mg 掺杂 GdN 层。X 射线衍射摇摆曲线表明，Mg 掺杂 GdN 薄膜的晶体质量与未掺杂 GdN 薄膜非常相似，显示 Mg 掺杂并未影响薄膜的结构性质。观察到居里温度随电子密度降低而下降，这支持了最近提出的磁极化子情景 [F. Natali et al., Phys. Rev. B 87, 035202 (2013)]。
引用
@article{arxiv.1410.8228,
title = {Highly resistive epitaxial Mg-doped GdN thin films},
author = {C. -M. Lee and H. Warring and S. Vézian and B. Damilano and S. Granville and M. Al Khalfioui and Y. Cordier and H. J. Trodahl and B. J. Ruck and F. Natali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.8228},
year = {2015}
}