高磁化强度的GaMnN外延薄膜
材料科学
2014-04-04 v2
摘要
我们报道了利用分子束外延在GaN上生长Mn浓度高达10%的赝晶纤锌矿GaMnN的制备。根据卢瑟福背散射，Mn离子主要位于Ga替代位置，并且根据深度分辨俄歇电子能谱和二次离子质谱测量，它们均匀分布。透射电子显微镜显示Mn随机分布，对于优化生长条件，不存在富Mn团簇。利用X射线衍射发现c晶格参数随Mn浓度线性增加。超导量子干涉测量证实了铁磁行为，显示饱和磁化强度高达150 emu/cm^3。
引用
@article{arxiv.1205.3475,
title = {GaMnN epitaxial films with high magnetization},
author = {Gerd Kunert and Sylwia Dobkowska and Tian Li and Helfried Reuther and Carsten Kruse and Stephan Figge and Rafal Jakiela and Alberta Bonanni and Jörg Grenzer and Wiktor Stefanowicz and Maciej Sawicki and Tomasz Dietl and Detlef Hommel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.3475},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 5 postscript figures, typo corrected, to appear in Applied Physics Letters Journal