用于 GaN HEMT 电热性能评估的双温度原理
应用物理
2024-01-25 v1
摘要
我们通过技术计算机辅助设计（TCAD）仿真与声子蒙特卡洛（MC）仿真，对氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中的自热效应进行了全面研究。借助基于微观声子的电热仿真，我们细致考察了 GaN HEMT 内部的温度分布与电热耦合效应。我们引入了两个度量指标——最大沟道温度（）与等效沟道温度（），分别用于衡量器件的可靠性与电性能退化。我们深入考察了偏置相关的热生成以及声子弹道输运对这两个指标的影响。
引用
@article{arxiv.2306.08911,
title = {Two-Temperature Principle for Electrothermal Performance Evaluation of GaN HEMTs},
author = {Yang Shen and Bing-Yang Cao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.08911},
year = {2024}
}