基于GaN纳米线的三维鳍形场效应晶体管混合电热仿真
材料科学
2018-03-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近年来，三维基于GaN的晶体管因输出功率大幅提升、栅极控制更好、沟道更短以实现加速和微型化而被深入研究。然而，此类器件的热分析常在热仿真中使用传统傅里叶定律和块体材料性质而过度简化。在这方面，通过耦合声子和电子蒙特卡洛仿真跟踪个体声子和电子的运动与散射，可实现准确温度预测。但沉重计算负担常将此类仿真限制于纳米器件，而真实芯片为毫米到厘米尺寸。此问题可通过混合仿真技术解决，该技术对远离热点的区域采用傅里叶定律。使用此技术，对基于纳米线的GaN晶体管进行准确电热仿真，揭示了此类器件中的温升。
引用
@article{arxiv.1707.09073,
title = {Hybrid Electrothermal Simulation of a Three-Dimensional Fin-Shaped Field-Effect Transistor Based on GaN Nanowires},
author = {Qing Hao and Hongbo Zhao and Yue Xiao and Michael Brandon Kronenfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.09073},
year = {2018}
}